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解決方案
延伸路徑：從技術點到解決方案
加速您的SiP封裝、2.5D IC 堆疊上市進程
- 解決方案
銅柱模組
Copper Pillar Module Solution
加速您的 SiP 封裝、2.5D IC 堆疊上市進程。
將複雜的封裝技術標準化。無需昂貴的電鍍產線，利用既有 SMT 機台即可實現高密度互連，大幅縮短研發週期。
CORE VALUE
核心優勢
SPEED
快速導入
針對 PoP（Package on Package）、SiP、2.5D 應用提供標準化封裝路徑，減少開發摸索時間。
COST
成本效率
省去昂貴的電鍍設備投入，現有 SMT 機台即可直接打件，實現低成本量產。
FLEXIBILITY
靈活客製
針對客戶特定 XPU 與載板設計，提供彈性配置與全客製化生產服務。
POSITIONING
產業應用與戰略定位
與傳統錫球、業界晶圓級銅柱製程相比，模組化方案在導入門檻與彈性上的位置：
| 特性 | 傳統技術 (Solder Ball) |
Copper Pillar Bump (業界晶圓級製程) |
Copper Pillar Module (模組化方案) |
商業價值 |
|---|---|---|---|---|
| 互連密度 | 受限於錫球尺寸，間距大，低密度 | 高密度 (Fine Pitch) | 高密度 (Fine Pitch) | 滿足高頻訊號傳輸需求 |
| 電性效能 | 電阻與電感較高 | 高密度 (Fine Pitch) | 高密度 (Fine Pitch) | 滿足高頻訊號傳輸需求 |
| 製程結構 | 軟性錫球，易塌陷 | 剛性結構，形狀穩定 | 剛性結構 + 一體成型支撐 | 高可靠度，控制堆疊高度 |
| 基礎設施 | 標準封裝產線 | 需高階晶圓電鍍 Fab（高 Capex） |
可於現有 SMT 產線作業 | 極低導入門檻，快速量產 |
| 彈性配置 | 標準化量產為主 | 受限於設備電鍍高度 | 高度靈活，全客製化服務 | 滿足特定研發與應用需求 |
POSITIONING
關鍵技術突破：
精密高度控制與封裝可靠度
客戶在應用上最大的挑戰是「電鍍銅柱的高度均勻性」受限，導致堆疊時產生空隙（Void）或橋接（Bridge）。
模組化技術透過「預製銅柱（Pre-fabricated Pillar）」結合高精度的「固化膠（Curing Adhesive）」，不依賴傳統電鍍的即時生長。
- 精準高度 — 模組在出廠前已完成高度校準，排除電鍍製程的高度差異。
- 結構穩定 — 固化膠在迴焊後提供比傳統底填（Underfill）更佳的支撐力，防止熱膨脹係數（CTE）差異造成的錫裂問題。
WHERE IT FITS
應用場景
銅柱模組已導入以下五大應用領域，涵蓋高效能運算到 RF 模組的不同可靠度與成本需求。
01
AI 伺服器與高效能運算
AI SERVER / HPC
痛點
2.5D/3D IC 堆疊中，HBM 與運算晶片間的訊號完整性與散熱是主要瓶頸，傳統錫球間距無法滿足高頻寬需求。
切入點
Fine Pitch 銅柱模組提供短傳導路徑、低電阻電感，雙向對接架構強化垂直導熱，適合多層堆疊中介層應用。
建議系列
G1（研發驗證）／ G4-G5（量產推薦）
02
功率半導體模組
POWER MODULE / SiC・GaN
痛點
功率元件需承載大電流，且面臨高溫循環下的可靠度考驗，傳統底填材料易因 CTE 差異產生錫裂。
切入點
G1 系列支援 3–5A/pin 大電流設計，固化膠提供比傳統 Underfill 更佳的機械支撐，降低熱應力導致的失效風險。
建議系列
G1（大電流設計）／ G3（量產穩定）
03
消費性電子 SiP 模組
WEARABLES / MOBILE SiP
痛點
2.5D/3D IC 堆疊中，HBM 與運算晶片間的訊號完整性與散熱是主要瓶頸，傳統錫球間距無法滿足高頻寬需求。
切入點
Fine Pitch 銅柱模組提供短傳導路徑、低電阻電感，雙向對接架構強化垂直導熱，適合多層堆疊中介層應用。
建議系列
G1（研發驗證）／ G4-G5（量產推薦）
04
車用電子
AUTOMOTIVE ELECTRONICS
痛點
車規要求長期高溫穩定性與嚴格的共面度公差，一般封裝技術難以同時滿足可靠度與成本。
切入點
共面度 < 1mil（優於 JEDEC 規範）搭配全產線 AOI 檢測，符合車用對一致性與可追溯性的要求。
建議系列
G3（標準方案）／ G4-G5（視功率需求）
05
RF／毫米波模組
RF & mmWave MODULES
痛點
高頻訊號對阻抗匹配與訊號損耗極為敏感，傳統錫球結構的電感效應會劣化高頻表現。
切入點
短傳導路徑降低寄生電感，搭配陶瓷方案的低介電損耗特性，滿足 5G/6G 及衛星通訊模組需求。
建議系列
G4-G5（陶瓷方案）
DATASHEET
技術規格
製程規格 — Process Specification
銅柱直徑
≥ 60 μm
中心間距（Pitch)
≥ 70 μm
檢測標準
全產線 AOI 自動檢測
檢測項目涵蓋缺 Pin、高度與共面性。包裝方式提供 Reel（捲盤）與 Tray（托盤）兩種選擇，滿足自動化生產線與研發試產之不同需求。
FAQ
技術問答區
為什麼使用「銅柱模組（Module）」取代「傳統錫球（Solder Ball）」？
為什麼使用「銅柱模組（Module）」取代「傳統錫球（Solder Ball）」？ 
傳統錫球受限於表面張力，間距較大且易塌陷。銅柱模組提供更小的間距（Fine Pitch）與更短的傳導路徑，能顯著降低電阻與電感，滿足現代 AI 與高效能運算（HPC）對信號完整性與電力傳輸的極致需求。
與業界常見的「Copper Pillar Bump（晶圓級製程）」有何不同？
與業界常見的「Copper Pillar Bump（晶圓級製程）」有何不同？ - 製程門檻｜Bump 必須在半導體晶圓廠（Fab）透過高昂的掩膜與電鍍設備完成，Capex 投入極大；模組將銅柱技術「標準化／零件化」，讓您在一般 SMT 廠即可實現同等級的高密度互連。
- 彈性與週期｜Bump 製程對於小批量或多樣化設計極不友善且前置期長；模組支援全客製化高度與排列，快速打樣且無須負擔數百萬元的晶圓光罩費用。
- 結構支撐｜模組結合一體成型 Molding 與固化膠技術，提供比單純 Bump 更好的機械支撐力，有效解決大尺寸封裝的翹曲（Warpage）問題。
我的 SMT 產線可以直接打件嗎？是否需要特殊的 Flip-Chip 設備？
我的 SMT 產線可以直接打件嗎？是否需要特殊的 Flip-Chip 設備？ 是的，這正是核心價值所在。模組具備優異的 SMT 兼容性，無需額外採購昂貴的晶圓對位機台。透過計算值進行Pad 補償（+50-100μm），可完美吸收裝配過程中的 Tilt 與 Offset 誤差，使用現有的高速貼片機即可精準打件量產
該如何克服「堆疊高度」與「電鍍銅柱均勻性」的限制？
該如何克服「堆疊高度」與「電鍍銅柱均勻性」的限制？
傳統的 Copper Pillar Bump 在電鍍過程中，晶圓邊緣與中心的生長高度常有差異，導致堆疊時產生空隙或斷路。透過「預製銅柱（Pre-fabricated Pillar）」技術，每一根銅柱在出廠前均已完成高度精準校準（共面度 < 2mil），從根本上彌補了電鍍設備的物理限制，確保堆疊後的高度絕對一致。