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- STRUCTURAL R&D · PITCH 0.13MM → 0.08MM
Copper Pillar Module — High Current Line
把連接器的物理極限，
重新定義成可談判的規格。
業界量產標準止步於 0.13mm Pitch。我們把「微縮」當作結構工程問題來解，而不是製程口號 —— 用材料、公差控制與模組化平台，把極限客製化變成可規模生產的服務。
市面產品在極致微縮時，普遍在三個結構性失效點崩潰：焊接點脆弱、阻抗不匹配、組裝公差導致接觸不良。我們的方案從這三個失效因子回推設計。
THE PROBLEM
產業趨勢與散熱挑戰
產品核心價值
物理極限再定義
業界量產標準 0.13mm Pitch 之外，透過獨家材料與加工製程，提供 0.08mm 級的極限客製化服務，挑戰空間佈局的邊界，而非停在規格書的邊際。
全維度客製化
不只是針數與長度，更涵蓋外型與總體厚度。從 PCB 佈局階段就介入結構設計，實現「機殼與組件合一」的無縫整合。
從製造商到結構顧問
輸入空間限制、訊號頻率、預計產量，即可回饋可行結構建議 —— 把服務定位從單純供應零件，往前推進到結構諮詢。
PAIN-POINT MAPPING
市面痛點對照
每一個微縮帶來的副作用，都對應一個具體、可驗證的工程對策，而不是行銷式的保證。
| 市面痛點 | 我們的對策 |
|---|---|
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⊘微型化導致結構脆弱
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→高強度合金 ＋ 優化幾何結構
重新分佈應力路徑，在同樣的針徑下提升整體物理強度餘裕。
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⊘微型化導致結構脆弱
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→智慧化模組化製程
以極小公差控制技術，維持大量生產下的高度一致性，而非靠人工挑選良品。
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⊘高度客製化導致開發週期長
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→智慧化模組化製程
以極小公差控制技術，維持大量生產下的高度一致性，而非靠人工挑選良品。
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⊘極小間距影響電性表現
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→先進訊號整合技術
最小化干擾與阻抗不匹配，確保微縮不必以訊號完整性為代價
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Structured Strategy and Risk Management
結構策略與風險管控
通用底座 + 客製端子
底座維持設備共用性與良率基準；針對客戶空間限制與訊號規格，僅替換端子模組 —— 讓「極限客製」不必犧牲量產經濟規模。
失效因子與避險策略
| 潛在失效因子 | 避險策略 |
|---|---|
| 過度微縮 → 機械剛性不足 → 組裝良率下降 | 設計階段導入熱應力與機械疲勞模擬（FEA），在打樣前排除物理失效點。 |
| 客製需求過於繁雜 → 無法規模化生產 | 通用底座＋客製端子的組合邏輯，維持核心生產設備的共用性，客製只發生在局部模組。 |
DESIGN RULES
Pitch 0.13mm – 0.08mm 設計規則表
| Pitch 區間 | 建議針徑 | 設計公差 (mm) | 關鍵特性 | 關鍵特性 |
|---|---|---|---|---|
| 0.130 - 0.110mm | φ 0.09 - 0.15mm | 低 | 標準 SiP / 穿戴裝置 | 標準 |
| 0.110 - 0.095mm | φ 0.08 - 0.12mm | 中 | 標準 SiP / 穿戴裝置 | 優化 |
| 0.095 - 0.080mm | φ 0.06 - 0.09mm | 高 (需 FEA 驗證) | 2.5D/3D IC、HBM 高階整合 | 極限客製 |
三層報價架構
TIER 01
標準
—
Pitch ≥ 0.11mm
—
沿用既有設計規則庫
—
最短打樣週期
—
適合快速驗證與小批量試產
MOST NEGOTIATED
TIER 02
優化客製
—
Pitch 0.095 – 0.11mm
—
局部端子結構調整
—
納入公差控制報告
—
適合高密度 POL / RF 應用
TIER 03
極限客製
—
Pitch 0.080 – 0.095mm
—
全維度結構共同開發
—
必含 FEA 熱應力／疲勞模擬
—
適合 2.5D/3D IC、HBM 整合
STRATEGIC VALUE
未來商機路線圖
把連接器看作「隱形化」的存在 —— 不只是連通，而是 PCB 結構的一部分。
| NOW |
客製化評估檢核表
重新分佈應力路徑，在同樣的針徑下提升整體物理強度餘裕。
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| NEXT |
5G/6G 與 HPC 阻抗控制標準
針對高頻傳輸需求，提前對齊高速運算場景所需的阻抗控制規格，卡位下一波高溢價市場。
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| HORIZON |
去連接器化（Connector-less）轉接方案
若客戶端逐步走向連接器與 PCB 一體化，預先準備結構轉接路徑，讓現有產品線可平滑銜接下一代設計趨勢。
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FAQ
技術問答區
為什麼使用「銅柱模組（Module）」取代「傳統錫球（Solder Ball）」？
為什麼使用「銅柱模組（Module）」取代「傳統錫球（Solder Ball）」？ 
傳統錫球受限於表面張力，間距較大且易塌陷。銅柱模組提供更小的間距（Fine Pitch）與更短的傳導路徑，能顯著降低電阻與電感，滿足現代 AI 與高效能運算（HPC）對信號完整性與電力傳輸的極致需求。
與業界常見的「Copper Pillar Bump（晶圓級製程）」有何不同？
與業界常見的「Copper Pillar Bump（晶圓級製程）」有何不同？ - 製程門檻｜Bump 必須在半導體晶圓廠（Fab）透過高昂的掩膜與電鍍設備完成，Capex 投入極大；模組將銅柱技術「標準化／零件化」，讓您在一般 SMT 廠即可實現同等級的高密度互連。
- 彈性與週期｜Bump 製程對於小批量或多樣化設計極不友善且前置期長；模組支援全客製化高度與排列，快速打樣且無須負擔數百萬元的晶圓光罩費用。
- 結構支撐｜模組結合一體成型 Molding 與固化膠技術，提供比單純 Bump 更好的機械支撐力，有效解決大尺寸封裝的翹曲（Warpage）問題。
我的 SMT 產線可以直接打件嗎？是否需要特殊的 Flip-Chip 設備？
我的 SMT 產線可以直接打件嗎？是否需要特殊的 Flip-Chip 設備？ 是的，這正是核心價值所在。模組具備優異的 SMT 兼容性，無需額外採購昂貴的晶圓對位機台。透過計算值進行Pad 補償（+50-100μm），可完美吸收裝配過程中的 Tilt 與 Offset 誤差，使用現有的高速貼片機即可精準打件量產
該如何克服「堆疊高度」與「電鍍銅柱均勻性」的限制？
該如何克服「堆疊高度」與「電鍍銅柱均勻性」的限制？
傳統的 Copper Pillar Bump 在電鍍過程中，晶圓邊緣與中心的生長高度常有差異，導致堆疊時產生空隙或斷路。透過「預製銅柱（Pre-fabricated Pillar）」技術，每一根銅柱在出廠前均已完成高度精準校準（共面度 < 2mil），從根本上彌補了電鍍設備的物理限制，確保堆疊後的高度絕對一致。