TOP

服務項目

服務項目

Services

突破 3D 晶圓堆疊極限:
高密度 Pin Module on Wafer方案

8 吋晶圓 30 萬支銅柱一次性植針,以 99.9% 超高良率,解鎖下一代高階封裝的物理瓶頸。

300,000

+

8" 晶圓單片植針銅柱數

99.9

%

既有製程良率 (邁向 99.99%)

>150

°C

耐受車規級高溫環境

THE PROBLEM

為什麼傳統堆疊方案正在失效?

隨著 3D IC 與多晶片模組(MCM)高度堆疊,傳統的錫球(Solder Bump)面臨以下物理限制:

間距限制

錫球在高溫回焊時易橫向溢流, 限制了接點密度的提升。

應力破壞

晶圓熱膨脹係數(CTE)不一致, 導致堆疊界面在高溫震動下斷裂。

導電瓶頸

錫合金阻抗較高, 無法滿足未來超高速傳輸與散熱需求。

DATASHEET

產品特性與規格

我們直接在晶圓(Wafer)上植入微型銅柱(Copper Pillar),提供最短、阻抗最低的垂直電性通路。

熱固膠穩固技術(Thermosetting Anchor)

我們在銅柱底部使用高穩定性熱固膠結合。高溫固化後,熱固膠形成不可逆的立體交聯結構,提供極佳的機械強度與耐熱性,牢牢鎖定這 30 萬支銅柱的相對位置,完美克服後續堆疊製程中的應力與扭曲問題。

Application Scenarios

卓越的實績與技術指標

項目 數據
高密度植針實績 單片 8 吋晶圓植針 300,000 支銅柱
極致良率 99.9%(目標 99.99%)
耐溫與結構力 多次回焊高溫不移位、不剝離
結合方式 底部高穩定性熱固膠 / 立體交聯結構
適用晶圓尺寸 8 吋(可依需求評估其他尺寸)

APPLICATION SCENARIOS

核心應用場景

我們不僅追求高良率,更在製程初期預防所有潛在失敗因子,確保您的產品導入過程萬無一失:

01

預防膠體未完全固化

我們導入動態熱差分析(DSC)檢驗,確保每一批熱固膠的交聯度均 >95%,徹底避免高溫釋氣(Outgassing)導致的空洞與斷裂。

02

防止銅柱氧化

全製程在無氧氮氣(N₂)環境與電漿清洗(Plasma Clean)下進行,確保 30 萬個接點皆維持極低的接觸電阻。

SELF-SERVICE ASSESSMENT

快速技術評估指南

您是否適合採用 Pin Module 技術?請參考以下標準:

您是否適合採用 Pin Module 技術?請參考以下標準:

您是否適合採用 Pin Module 技術?請參考以下標準:

您是否適合採用 Pin Module 技術?請參考以下標準:

若以上任一答案為「是」,Pin Module 將是您的最佳解決方案。

FAQ

技術問答區

  為什麼使用「銅柱模組(Module)」取代「傳統錫球(Solder Ball)」?
傳統錫球受限於表面張力,間距較大且易塌陷。銅柱模組提供更小的間距(Fine Pitch)與更短的傳導路徑,能顯著降低電阻與電感,滿足現代 AI 與高效能運算(HPC)對信號完整性與電力傳輸的極致需求。
  1. 製程門檻|Bump 必須在半導體晶圓廠(Fab)透過高昂的掩膜與電鍍設備完成,Capex 投入極大;模組將銅柱技術「標準化/零件化」,讓您在一般 SMT 廠即可實現同等級的高密度互連。
  2. 彈性與週期|Bump 製程對於小批量或多樣化設計極不友善且前置期長;模組支援全客製化高度與排列,快速打樣且無須負擔數百萬元的晶圓光罩費用。
  3. 結構支撐|模組結合一體成型 Molding 與固化膠技術,提供比單純 Bump 更好的機械支撐力,有效解決大尺寸封裝的翹曲(Warpage)問題。

是的,這正是核心價值所在。模組具備優異的 SMT 兼容性,無需額外採購昂貴的晶圓對位機台。透過計算值進行Pad 補償(+50-100μm),可完美吸收裝配過程中的 Tilt 與 Offset 誤差,使用現有的高速貼片機即可精準打件量產

傳統的 Copper Pillar Bump 在電鍍過程中,晶圓邊緣與中心的生長高度常有差異,導致堆疊時產生空隙或斷路。透過「預製銅柱(Pre-fabricated Pillar)」技術,每一根銅柱在出廠前均已完成高度精準校準(共面度 < 2mil),從根本上彌補了電鍍設備的物理限制,確保堆疊後的高度絕對一致。

立即填寫表單,與我們的封裝專家開啟技術對談